- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
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- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
可程控磁控濺射鍍膜儀由工控機和PLC實現(xiàn)控制,有自動和手動控制兩種模式。除取放樣品外,其它操作過程全部在觸摸屏上實現(xiàn);提供真空系統(tǒng)、濺射工藝設置、充放氣系統(tǒng)等人機操作界面;在工控機上可通過配方設置參數(shù),實現(xiàn)對程序工藝過程和設備參數(shù)的設置。
可程控磁控濺射鍍膜儀設備用途:
該產(chǎn)品可廣泛應用于半導體、LED和光伏等行業(yè),主要用于各種金屬、半導體及介質(zhì)材料的薄膜制備,可滿足科研兼小批量生產(chǎn)需要。
濺射室極限真空 |
≤8.0×10-6Pa |
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恢復真空時間 |
系統(tǒng)從大氣抽至1.0×10-3 Pa≤15min |
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均勻性 |
膜厚不均勻性≤±5%;片間不均勻性≤±5%;批次間不均勻性≤±5% |
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濺射真空室 |
圓筒形結(jié)構(gòu),尺寸Ф800mm×250mm |
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磁控濺射系統(tǒng) |
永磁靶4支,靶材尺寸6英寸; 配1臺進口電源(射頻或直流脈沖可選); 濺射速率:0.5~5埃/秒(靶材Al) |
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公轉(zhuǎn)基片臺 |
6英寸6片,(4英寸12片或3英寸16片); 基片公轉(zhuǎn)3~15轉(zhuǎn)/分,連續(xù)可調(diào),可選配公自轉(zhuǎn)復合工件臺 |
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光加熱系統(tǒng) |
樣品加熱溫度:室溫~250℃,連續(xù)可調(diào); 基片溫度不均勻性:≤±10℃; 控溫方式為PID自動控溫及數(shù)字顯示,配備進口控溫表 |
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工作氣路 |
2路質(zhì)量流量控制器氣路 |
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抽氣機組成 |
低溫泵(進口)、羅茨干泵機組、氣動閘板閥(進口)、管路等 |
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真空測量 |
2個真空計(進口)對系統(tǒng)真空、工作真空及前級真空進行**檢測;真空度在工控機觸膜屏上可直觀顯示;可準確監(jiān)控濺射鍍膜工藝過程的真空度 |
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控制系統(tǒng) |
系統(tǒng)由工控機(觸摸屏)和進口PLC實現(xiàn)對整個系統(tǒng)的控制 |
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占地面積 |
主機 |
1500×1000mm2 |
電控柜 |
700×700mm2(一個) |