- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
1200℃高真空迷你CVD設(shè)備該組CVD設(shè)備為小型化CVD系統(tǒng),核心是一款迷你管式爐,采用電阻絲加熱,設(shè)備*高溫度可達(dá)1200℃。儀器還包含一臺(tái)三路浮子流量計(jì),一臺(tái)分子泵組,分別構(gòu)成了CVD的進(jìn)氣和出氣部分。
特點(diǎn)
1. 爐管右側(cè)有數(shù)顯真空計(jì),用以控制爐管內(nèi)部的真空度和氣氛環(huán)境。
2. 系統(tǒng)采用PID智能控溫,控溫精度能達(dá)到±1℃。
3. 管式爐在操作上采用溫控表操作,可預(yù)設(shè)控溫曲線,
4. 一鍵啟停,便于使用,能夠簡(jiǎn)化實(shí)驗(yàn)操作進(jìn)而節(jié)約試驗(yàn)時(shí)間。
5. 高真空分子泵組可以有效提高本低真空度,提高反應(yīng)產(chǎn)物的質(zhì)量。
技術(shù)參數(shù):
1200℃迷你管式爐 |
供電電壓 | AC220V,50Hz |
功率 | 2KW max | |
加熱溫區(qū) | 單溫區(qū)200mm | |
恒溫區(qū)長(zhǎng) | 100mm | |
加熱元件 | 耐熱合金絲 | |
熱電偶 | K型 | |
工作溫度 |
≤1150℃ |
|
升溫速率 |
建議≤10℃/min |
|
控溫精度 |
±1℃ |
|
控溫方式 |
AI-PID 30段工藝曲線,帶有過(guò)熱和斷偶保護(hù) |
|
爐管材質(zhì) |
高純石英 |
|
爐管尺寸 |
φ50mm O.D x 450mm L |
|
真空泵 |
機(jī)械泵 抽速1.1L/s |
|
極限真空 |
5Pa |
三路浮子流量計(jì) |
閥門(mén)類型 |
不銹鋼針閥 |
氣路數(shù)量 |
三路 |
|
承壓范圍 |
0.05~0.3MPa |
|
量程 |
160 SCCM (Air) |
|
混氣罐容積 |
750mL |
|
氣路材料 |
304不銹鋼 |
|
管道接口 |
6.35mm卡套接頭 |
分子泵組參 |
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-GZK103-A |
|
分子泵 |
渦輪分子泵 |
||
前極泵 |
雙極旋片泵 |
||
抽氣速率 |
分子泵:60L/S |
綜合抽氣性能: 30分鐘真空度可達(dá):5×10E-3Pa |
|
旋片泵:1.1L/S |
|||
極限真空 |
5×10E-4Pa |
||
抽氣接口 |
KF40 |
||
排氣接口 |
KF16 |
||
真空測(cè)量 |
復(fù)合真空計(jì) |