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鍍膜技術(shù)十個常見問題解答

日期:2024-12-23 03:02
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摘要: 可區(qū)分為:(1)真空蒸鍍 (2)電鍍 (3)化學反應 (4)熱處理 (5)物理或機械處理 二、蒸鍍的加熱方式包括那幾種?各具有何特點? 加熱方式分為:(1)電阻加熱 (2)感應加熱 (3)電子束加熱 (4)雷射加熱 (5)電弧加熱 各具有的特點: (1)電阻加熱:這是一種*簡單的加熱方法,設備便宜、操作容易是其優(yōu)點。 (2)感應加熱:加熱效率佳,升溫快速,并可加熱大容量。 (3)電子束加熱:這種加熱方法是把數(shù)千eV之...

一、鍍膜技術(shù)可區(qū)分為那幾類?


    可區(qū)分為:(1)真空蒸鍍 (2)電鍍 (3)化學反應 (4)熱處理 (5)物理或機械處理 

 

二、蒸鍍的加熱方式包括那幾種?各具有何特點?


     加熱方式分為:(1)電阻加熱 (2)感應加熱 (3)電子束加熱 (4)雷射加熱 (5)電弧加熱

各具有的特點:

(1)電阻加熱:這是一種*簡單的加熱方法,設備便宜、操作容易是其優(yōu)點。  
(2)感應加熱:加熱效率佳,升溫快速,并可加熱大容量。 
(3)電子束加熱:這種加熱方法是把數(shù)千eV之高能量電子,經(jīng)磁場聚焦,直接撞擊蒸發(fā)物加熱,溫度可以高達30000C。而它的電子的來源有二:高溫金屬產(chǎn)生的熱電子,另一種電子的來源為中空陰極放電。 
(4)雷射加熱:激光束可經(jīng)由光學聚焦在蒸鍍源上,產(chǎn)生局部瞬間高溫使其逃離。*早使用的是脈沖紅寶雷射,而后發(fā)展出紫外線準分子雷射。紫外線的優(yōu)點是每一光子的能量遠比紅外線高,因此準分子雷射的功率密度甚高,用以加熱蒸鍍的功能和電子束類似。常被用來披覆成份復雜的化合物,鍍膜的品質(zhì)甚佳.它和電子束加熱或濺射的過程有基本上的差異,準分子雷射脫離的是微細的顆粒,后者則是以分子形式脫離。 
(5)電弧加熱:
陰極電弧沉積的優(yōu)點為:
(1)蒸鍍速率快,可達每秒1.0微米  
(2)基板不須加熱  
(3)可鍍高溫金屬及陶瓷化合物  
(4)鍍膜密高且附著力佳 


三、真空蒸鍍可應用在那些產(chǎn)業(yè)?


     主要產(chǎn)業(yè)大多應用于裝飾、光學、電性、機械及防蝕方面等,現(xiàn)就比較常見者分述如下:
1.鏡片的抗反射鍍膜(MgO、MgF2、SiO2等),鏡片置于半球支頂,一次可鍍上百片以上。
2.金屬、合金或化合物鍍膜,應用于微電子當導線、電阻、光電功能等用途。3.鍍鋁或鉭于絕緣物當電容之電極。 
4.特殊合金鍍膜MCrAlY具有耐熱性抗氧化性,耐溫達1100OC,可應用須耐高溫環(huán)境的工件,如高速切削及成形加工、渦輪引擎葉片等。  
5.鍍金屬于玻璃板供建筑物之裝飾及防紫外線。 
6.離子蒸鍍鍍鋁,系以負高電壓加在被鍍件上,再把鋁加熱蒸發(fā),其蒸氣經(jīng)由電子撞擊離子化,然后鍍到鋼板上。 
7.鍍鋁于膠膜,可供裝飾或標簽,且鍍膜具有金屬感等。*大的用途就是包裝,可以防潮、防空氣等的滲入。 
8.機械零件或刀磨具鍍硬膜(TiC、TiN、Al2O3)這些超硬薄膜不但硬度高,可有效提高耐磨性,而且所需厚度剪小,能符合工件高精度化的要求。    
9.特殊合金薄片之制造。  
10.鍍多層膜于鋼板,改善其性能。  
11.鍍硅于CdS太陽電池,可增加其效率。 
12.奈米粉末之制造,鍍于冷基板上,使其不附著。

四、TiN氮化鈦鍍膜具有那些特點?  

(1)抗磨損   (2)具亮麗的外觀   (3)具**性,可使用于外科及食品用具。   (4)具潤滑作用,可減少磨擦。   (5)具防蝕功能  (6)可承受高溫

五、CVD化學氣相沉積法反應步驟可區(qū)分為那五個步驟? 


(1)不同成份氣相前置反應物由主流氣體進來,以擴散機制傳輸基板表面。理想狀況下,前置物在基板上的濃度是零,亦即在基板上立刻反應,實際上并非如此。 
(2)前置反應物吸附在基板上,此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。 
(3)前置物在基板上進行化學反應,產(chǎn)生沉積物的化學分子,然后經(jīng)積聚成核、遷移、成長等步驟,*后聯(lián)合一連續(xù)的膜。 
(4)把多余的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。  
(5)被去吸附的氣體,以擴散機制傳輸?shù)街髁鳉庀啵⒔?jīng)傳送排出。

六、何為化學氣相蒸鍍(CVD)?主要的優(yōu)缺點有那些? 


     化學氣相蒸鍍乃使用一種或多種氣體,在一加熱的固體基材上發(fā)生化學反應,并鍍上一層固態(tài)薄膜。  
優(yōu)點: 
(1)真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如熱噴覆 
(2)沉積速率快,大氣CVD可以達到1μm/min  
(3)與PVD比較的話。化學量論組成或合金的鍍膜較容易達成  
(4)鍍膜的成份多樣化,如金屬、非金屬、半導體、光電材料、鉆石薄膜等等  
(5)可以在復雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷  
(6)厚度的均勻性良好,低壓CVD甚至可以同時鍍數(shù)十芯片    
缺點:  
(1)熱力學及化學反應機制不易了解或不甚了解 
(2)需要在高溫下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜產(chǎn)生作用  
(3)反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理時需小心 
(4)反應生成物可能殘余在鍍膜上,成為雜質(zhì)  
(5)基材的遮蔽很難 

七、良好的薄膜須具備那些特性?影響的因素有那些? 
    

     通俗的定義為在正常狀況下,其應用功能不會失效。想要達到這個目的,一般而言這層薄膜必須具有堅牢的附著力、很低的內(nèi)應力、針孔密度很少、夠強的機械性能、均勻的膜厚、以及足夠的抗化學侵蝕性。薄膜的特性主要受到沉積過程、成膜條件、接口層的形成和基材的影響,隨后的熱處理亦扮演重要角色。 

八、沉積的薄膜有內(nèi)應力的存在,其來源為何? 


(1)薄膜和基材之間的晶格失配  
(2)薄膜和基材之間的熱膨脹系數(shù)差異  
(3)晶界之間的互擠  

九、膜厚的量測方法有那些? 


    大致上可分為原位量測、離位量測兩類  
原位星測系指鍍膜進行中量測,普遍使用在物理/氣相沉積,如微天平、光學、電阻量測。    
離位量測系指鍍膜完成后量測,對電鍍膜的行使較為普遍,具有了解電鍍效率的目的,如質(zhì)量、剖面計、掃描式電子顯微鏡。

十、何為物理蒸鍍?試簡述其步驟? 


    物理蒸鍍就是把物質(zhì)加熱揮發(fā),然后將其蒸氣沉積在預定的基材上。由于蒸發(fā)源須加熱揮發(fā),又是在真空中進行,故亦稱為熱蒸鍍或真空蒸鍍。 
其可分為三個步驟 
(1)凝態(tài)的物質(zhì)被加熱揮發(fā)成汽相  
(2)蒸汽在具空中移動一段距離至基材  
(3)蒸汽在基材上冷卻凝結(jié)成薄膜

 文章來源:塑膜網(wǎng)

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