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等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)是化學(xué)氣相淀積的一種,其特點(diǎn)是在低溫下利用等離子體的激活作用來增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是沉積溫度低,沉積速率快,而且制得的薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著性以及**的臺(tái)階覆蓋性。
PECVD氣相沉積應(yīng)用領(lǐng)域:
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場(chǎng)所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、**裝飾等領(lǐng)域,PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用.
技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 |
PECVD氣相沉積 |
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-PECVD-500T-SS |
腔體尺寸 |
φ500 |
溫區(qū)長度 |
200 |
射頻電源 |
500W- |
溫度 |
1000℃- |
前級(jí)泵 |
分子泵組 |
顯示類型 |
T |
溫區(qū) |
I- |
水冷機(jī) |
CW5200 |
腔體材質(zhì) |
SS |
樣品加熱加熱溫度 |
RT-1000℃以上,溫控精度:±1°C,采用控溫表進(jìn)行控溫; 可調(diào)轉(zhuǎn)速:1-20rpm可調(diào) |
噴淋頭尺寸 |
Φ90mm,噴淋頭與樣品之間電極間距40-100mm在線連續(xù)可調(diào)(可根據(jù)工藝調(diào)整),并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示 |
樣品臺(tái) |
直徑200mm |
沉積工作真空 |
0.133-133Pa(可根據(jù)工藝調(diào)整) |
頂部法蘭 |
可通過馬達(dá)提升,基板更換方便,有可視口 |
基板臺(tái) |
基板臺(tái)的線性和方位角運(yùn)動(dòng),基板加熱和溫度控制,安裝臺(tái)和觸摸屏控制,基板線性運(yùn)動(dòng)是手動(dòng)控制的,基板旋轉(zhuǎn)是由直流電動(dòng)機(jī)控制的 |
真空腔體 |
前開門式,φ500mm X 500mm 不銹鋼材質(zhì) |
觀察窗 |
φ100mm 帶擋板 |
質(zhì)量流量計(jì) |
六路質(zhì)量流量計(jì) |
氣路數(shù)量 |
六路 |
承壓范圍 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
量程 |
0~100 SCCM(氧氣) 0~100 SCCM(CF4) 0~200 SCCM (SF6) 0~200 SCCM (氬氣) 0~500 SCCM (其他氣體空氣) 0-500sccm (其他氣體氮?dú)猓?/span> |
流量控制范圍 |
±1.5% |
氣路材料 |
304不銹鋼 |
管道接口 |
6.35mm卡套接頭 |
真空系統(tǒng) |
前級(jí)泵:無油真空泵4.7L/S 分子泵:1200L/S |
測(cè)量范圍 |
1×10-5~1×105Pa |
測(cè)量精度 |
1×10-5~1×10-4Pa ±40%的讀數(shù) 1×10-4~1×105Pa ±20%的讀數(shù) |