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產品詳情
  • 產品名稱:PEALD等離子增強原子層沉積系統

  • 產品型號:CY-PEALD-150R
  • 產品廠商:成越科儀
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簡單介紹:
等離子增強原子層沉積(PEALD)系統是一種先進的薄膜沉積技術,結合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優點,以實現更高的薄膜質量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統在微電子、光電器件、表面工程等領域中有著廣泛的應用
詳情介紹:

等離子增強原子層沉積(PEALD)系統是一種先進的薄膜沉積技術,結合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優點,以實現更高的薄膜質量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統在微電子、光電器件、表面工程等領域中有著廣泛的應用。

產品特點: 

1.等離子體增強反應:

PEALD系統通過引入等離子體來激發反應氣體,使得在較低溫度下即可實現薄膜的沉積。這使得PEALD系統特別適合用于沉積對溫度敏感的材料,如有機物或柔性基板上的薄膜。 

2.更高的薄膜密度與純度:

由于等離子體能夠提供高能量的反應物質,PEALD系統可以在較低溫度下沉積出高密度、高純度的薄膜,減少了薄膜中的缺陷和雜質。 

3.優異的膜厚均勻性:

PEALD保留了傳統ALD的優勢,能夠在復雜的三維結構和高縱橫比的基板上實現均勻的薄膜覆蓋,這在器件微縮和納米結構制造中尤為重要。 

4.靈活的工藝控制:

PEALD系統允許獨立控制等離子體生成和ALD前驅體脈沖的時間,提供了極大的工藝靈活性。通過調節等離子體功率、時間和氣體流量,可以優化不同材料的沉積條件。 

5.廣泛的材料兼容性:

PEALD系統適用于沉積各種材料,包括氧化物、氮化物、硫化物、金屬等,特別適合沉積氮化硅(SiNx)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)等材料。 

6.低溫沉積:

與傳統的熱ALD系統相比,PEALD能夠在較低溫度下沉積高質量的薄膜,這對于在溫度敏感基板(如聚合物基板)上的應用至關重要。


技術參數:

型號

CY-PEALD-150R

反應腔

可以生長*大 6 英寸樣品的標準腔體,標準*大樣品高度 6mm;(超高樣品選件可按用戶要求定制,為可選件),DualOTM 氮氣保護的雙O-Ring 高溫密封系統,隔絕其他氣體滲漏。基底加熱溫度 RT-400℃可控,控制精度±1℃;腔體烘烤溫度 RT-200℃可控,控制精度±1

沉積模式

包括以下 3 種工作模式:

高速沉積的連續模式 TM Flow TM

沉積超高寬深比結構的停流模式TMStopFlow TM

等離子體增強模式

前驅體源

5 路前驅體源;1 路為常溫源,4 路為加熱源,加熱溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃;加熱源配備高溫手動閥;標準前驅體源瓶體積 50cc

1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等,制備氧化物,氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關前驅體源。

前驅體管路

所有前驅體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級管路,所有管路加熱溫度RT-150℃可控。

ALD

每一路前驅體配置一個原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥;ALD 閥采用系統集成的表面安裝,維修更換時可以用盲板代替;閥體加熱溫度RT-150℃可控

真空規

進口寬范圍真空規,測量范圍 2x10-4 to 103torr

排氣管路

排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控;配置截止閥一個,加熱溫度 RT-150℃可控。

臭氧發生器系統

高濃度臭氧發生器,包括管路,裂解器附件;*高產量>15g/h,功率0~300W可調,*大濃度>3.5%(w/w)

選配微波等

離子體系統

自動匹配微波等離子體源系統;

包括:微波電源輸出功率 0 200W 可調;超快速等離子體發生器*短可在 200ms 內完成穩定的等離子啟輝;

2路等離子體源, 一路為Ar配備質量流量計(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切換。

控制硬件

PLC 控制系統。

控制軟件

autoALDTM專用軟件全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程,以及溫度、壓強等實時監控。

真空機械泵

型號:TRP-6

保修

1 年免費保修,自驗收之日起。

安裝培訓

工程師現場安裝培訓。

 

主要部件:

部件名稱

部件說明

主機

標準6 英寸原子層沉積系統

包括:

5路前驅體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶,

4路為加熱源,1路為常溫源

沉積自動控制系統,

autoALDTM沉積程序控制軟件,

預裝Windows TM的筆記本電腦,

臭氧發生器系統

高濃度臭氧發生器,包括管路,裂解器附件*高產量>15g/h,*大濃度>3.5%(w/w)

選配微波等離子

體系統

自動匹配微波等離子體源系統;

包括:微波電源輸出功率 0 200W 可調;超快速等離子體發生器*短可在 200ms 內完成穩定的等離子啟輝;

2路等離子體源, 一路為Ar配備質量流量計(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切

換。 

真空機械泵系統

機械泵與相關管路

真空機械泵型號:北儀優成 TRP-6

 

應用領域: 

1. 半導體制造

k電介質和金屬柵極:PEALD用于在晶體管中沉積高k材料(如HfO?、ZrO?),以及金屬柵極材料(如TiN),以提高器件性能,減少漏電流。

銅互連阻擋層和襯墊層:PEALD可以沉積低溫、高質量的阻擋層(如TiNTaN),用于防止銅在互連結構中擴散。

鈍化層:在集成電路和其他微電子器件中,沉積鈍化層以保護器件表面免受外界環境的影響,延長器件壽命。

2. 光電器件

太陽能電池:PEALD在薄膜太陽能電池(如CIGSCdTe、硅基太陽能電池)中沉積鈍化層或緩沖層(如Al?O?、ZnO),以提高光電轉換效率和穩定性。

LEDOLED:用于發光二極管(LED)和有機發光二極管(OLED)中沉積透明導電氧化物(如ZnOSnO?)或緩沖層,以提升發光效率和壽命。

3. 納米技術

納米結構涂層:PEALD可以在復雜的納米結構(如納米線、納米管、量子點)上沉積均勻的薄膜,用于調控其電學、光學和機械性能。

納米器件制造:在制造納米級別的電子和光子器件中,PEALD提供了**的材料厚度控制,適合制作超薄的功能性層。

4. 表面工程和防護涂層

抗腐蝕涂層:在金屬表面沉積抗腐蝕涂層(如Al?O?、TiO?),用于提高材料在腐蝕性環境中的耐久性,廣泛應用于航空航天、化工設備等領域。

生物醫學應用:在植入物和其他生物醫學器械上沉積生物相容性涂層,改善植入物與人體組織的相容性,減少排斥反應。

5. 柔性電子

柔性顯示屏:PEALD在低溫下沉積高性能的薄膜,用于柔性顯示屏(如OLED、電子紙)中的電極或保護層。

可穿戴設備:用于沉積薄膜保護層或功能層,以增強柔性和可穿戴設備的耐用性和性能。

6. 能源存儲與轉換

鋰離子電池:PEALD在電極材料(如LiCoO?、LiNiMnCoO?)和電解質界面沉積保護層,以延長電池壽命并提升充放電性能。

燃料電池和超級電容器:用于沉積催化劑層和保護層,提升燃料電池的效率和超級電容器的能量密度。

7. 傳感器技術

氣體傳感器:在傳感器的活性層或敏感層上沉積功能性薄膜(如ZnOTiO?),以提高傳感器對特定氣體的檢測靈敏度和選擇性。

生物傳感器:用于沉積功能性薄膜,增強生物傳感器對目標分子的識別和檢測能力。

8. 光學元件

抗反射涂層:在光學元件上沉積抗反射涂層(如SiO?、Al?O?),以減少光損失并提高透過率,廣泛應用于光學儀器、攝像設備等。

濾光片和鏡頭:PEALD可以沉積**控制厚度的薄膜,用于制作濾光片、反射鏡等光學元件。

9. 顯示技術

薄膜晶體管(TFT):用于在液晶顯示器(LCD)、OLED顯示器中制造薄膜晶體管,提升顯示器的分辨率和性能。

觸摸屏技術:在觸摸屏中,沉積透明導電薄膜(如ITOZnO),提高觸摸屏的導電性和耐用性。

應用案例(在PET膜上沉積SiO2): 

在PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜上使用等離子增強原子層沉積(PEALD)技術沉積二氧化硅(SiO?)的步驟需要特別注意溫度控制和等離子體條件,以確保對PET這種溫度敏感材料的保護


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