產品分類
- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
文章詳情
PECVD系統應用的說明
日期：2024-12-22 21:43
瀏覽次數：1148
摘要：
PECVD主要是對半導體材料硅的濺射。
1. 廣泛應用于MEMS、先進封裝、功率半導體、LED制造、RF集成電路等領域
2. 放射方式對稱工藝氣體顯著提高晶圓片內均勻性（WIW）
3. 多達10路氣體管路，可選on-board液體輸送系統
3. 多達10路氣體管路，可選on-board液體輸送系統
4. 復合頻率等離子體能力調節應力
5. 有源冷卻平臺應用在關鍵，低溫[小于175°C]封裝工藝
6. 可選敏感的de-gassing襯底材料增加單/多晶圓預加熱腔室
