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PECVD系統(tǒng)性能指標(biāo)的說明
日期：2024-12-22 21:04
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摘要：
PECVD系統(tǒng)薄膜制備設(shè)備，適合于半導(dǎo)體、集成電路、光電科學(xué)、電子信息、納米技術(shù)等領(lǐng)域研究，可以在各種尺寸和形狀的基底上沉積可以多種薄膜。
PECVD系統(tǒng)性能指標(biāo)：
1、PECVD是前段預(yù)熱雙溫區(qū)滑軌結(jié)構(gòu)，集真空系統(tǒng)、供氣流量系統(tǒng)、射頻源、自動推進(jìn)、加熱于一體，并將所有控制集成于觸屏操控界面之中。
2、PECVD電源范圍：0~500 W可調(diào)，溫度范圍：100~1200 ℃可調(diào)，濺射區(qū)域長度：2000 mm。
3、適用范圍：金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復(fù)合薄膜，連續(xù)生長各種薄膜等。
4、雙溫區(qū)滑軌爐：帶有預(yù)熱爐，*高溫度為1100 ℃；
5、等離子射頻發(fā)生器：輸出功率5~500 W可調(diào)；射頻電源頻率13.56 MHz；冷卻方式為空氣冷卻；輸入電源:208~240 VAC，50/60 Hz；
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