- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
本產品為二合一鍍膜儀,可用于電子產品、玻璃、陶瓷樣品、金屬等樣品的鍍膜。尤其適合實驗室SEM(掃描電鏡)的樣品制備。設備主要由石英真空室、等離子濺射靶,蒸發鍍膜裝置,放置樣品的樣品臺,真空泵機組、真空測量規管,進氣系統和控制系統組成。
設備主機采用觸摸顯示屏操作,溫控表檢測。其數字化參數界面和自動化操作方式為用戶提供了優良的研發平臺。真空室采用上中下結構,樣品臺與靶的距離靈活可調。
設備真空獲得系統采用上等雙極旋片泵。 具有體積小,噪音小,無油污污染等優點。
真空腔體采用石英加工而成,呈現圓柱結構,外形美觀,大方。主要密封法蘭采用 KF 系列高真空密封法蘭。真空腔體各接口均采用橡膠密封圈密封,真空性能優良,能有效鍍膜質量。
二合一鍍膜儀技術參數:
產品型號 |
CY-EVS180G-A |
安裝條件 |
1、使用環境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh; 2、設備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地; 3、額定功率:1500w; 4、設備用氣:設備腔室內需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純度 ≥99.99%; 5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm,承重 50kg 以上; 6、擺放位置要求通風。 |
技術參數 |
1、 蒸發源數量:1鎢絲籃/鎢舟 2、 適用蒸發膜料:金銀銅等不易被氧化的金屬,碳繩; 3、 等離子濺射靶數量:1x2” 4、 適用靶材:金銀銅等比重大,化學性質穩定的金屬;適用尺寸φ50mm x3mm 5、 蒸發源電壓:10V 6、 蒸發電流 0~100A 連續可調 7、 配 1 個鎢舟、1 個鎢絲籃; 8、 不銹鋼樣品臺,直徑為60mm;蒸發時使用樣品臺下表面及配套夾具,濺射時使用樣品臺上表面,直接將樣品放置在平面上。 9、 樣品臺距離蒸發源距離20~50mm可調。當使用濺射功能時樣品臺應和靶面距離30mm~50mm。 10、 真空腔體為石英腔體其直徑為180mm,高度為150mm; 11、 真空腔體抽氣接口為 KF25; 12、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭,默認配不銹鋼微調閥以調節進氣量; 13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏; 14、 可調節蒸發電流、濺射電流,可設置蒸發**電流值、**真空值; 15、 **保護:過流、真空過低自動切斷電流; 16、 極限真空:1Pa(搭配雙級旋片泵); 17、 真空測量為電阻規真空計,其量程為:1~105Pa |
注意事項 |
1、對于蒸鍍對氧較敏感的材料,建議增配分子泵組。 2、為了達到較高的無氧環境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。 |
可選配件 |
|
膜厚監測儀 |
1、膜厚分辨率:0.0136?(鋁) 2、膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置, 材料應力,溫度和密度 3、測量速度:100ms-1s/次,可設置測量范圍:500000?(鋁) 4、標準傳感器晶體:6MHz 5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35 |
其他配件 |
1、鎢舟、鎢絲籃; 2、CY-CZK103系列高性能分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~105Pa); CY-GZK60系列小型分子泵組(含復合真空計,測量范圍10-5Pa~102Pa) VRD-4雙極旋片真空泵; 3、KF25真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF25卡箍支架 4、膜厚儀晶振片; |